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論文

TIARA静電加速器施設の現状

高田 功; 水橋 清; 宇野 定則; 大越 清紀; 中嶋 佳則; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 石井 保行; 酒井 卓郎; 神谷 富裕; et al.

JNC TN7200 2001-001, p.134 - 137, 2002/01

TIARA静電加速器施設の3台の加速器の平成12年度における運転時間は、3MVタンデム加速器、3MVシングルエンド加速器及びイオン注入装置について、それぞれ1916時間、2282時間、1859時間であり、トリプル照射等の複合利用を含む放射線高度利用研究に使用された。研究会では、ポスターにて各加速器の平成12年度における運転及び整備等の状況と併せ、トラブルについても報告する。

論文

Microbeam system for study of single event upset of semiconductor devices

神谷 富裕; 宇都宮 伸宏*; 峰原 英介; 田中 隆一; 大泊 巌*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 64, p.362 - 366, 1992/00

 被引用回数:30 パーセンタイル:91.05(Instruments & Instrumentation)

原研のTIARA施設に設置された3MVタンデム加速器に重イオンによる半導体素子のシングルイベント効果の実験を目的としたマイクロビーム装置が取付けられた。同効果の半導体素子における部位依存性を調べるために、マイクロビーム形成、ビーム照準、シングルイオンヒットの3つの基本的な技術が要求される。本装置は、これらの技術を確立するために早稲田大学で行われたマイクロビーム装置とシングルイオンヒットの予備実験の成果に基づいて設計された。今回は、本装置の概要を報告する。

論文

JAERI heavy ion microbeam system and single ion hit technique

神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 田中 隆一

Proc. of the lst Meeting on the Ion Engineering Society of Japan, p.105 - 110, 1992/00

原研高崎の3MVタンデム加速器のビームラインに設置された重イオンマイクロビーム装置において0.85$$times$$1.2$$mu$$m$$^{2}$$のビームスポットサイズが達成された。本装置は、2連四重極レンズを用いて重イオンビームを集束し、ターゲットの任意の微視的領域にマイクロビームを照準できるように設計されている。さらに、宇宙船において使用される半導体デバイスのシングルイベント効果の基礎的な機構を解明するために、目的の位置にイオンを1つ1つヒットさせるシングルイオンヒットシステムが組込まれる。

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